在20世紀80年代中期VLSI電路到來之前，負性光刻膠由于其較好的顯影特性，使用最廣泛。但是因為它的分辨能力不高，負性光刻膠不能滿足VLSI印制電路板制造高密度的要求。
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所以，半導(dǎo)體工業(yè)轉(zhuǎn)向f使用正性光刻膠，因為它的分辨能力更高。這種轉(zhuǎn)變很困難，不僅因為掩模版或者對位標記需要變成正性圖形，而且印制電路板制造要克服正性光刻膠較低的粘合能力及其聚合和未聚合部分可溶性差異小的難題，光刻同時用于二氧化硅層和金屬化層的圖形成型。
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