氧化是在硅圓片表面形成一層二氧化硅(Si0₂)的工藝。二氧化硅是有效的介質(zhì)，可以用于印制電路板制造的元件，比如電容和MOS圖典型凈化間和三個(gè)級別的凈化間管。

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在印制電路板制造中，由于它可以阻止摻雜，而且可以很容易地用化學(xué)試劑去除，所以二氧化硅在摻雜工藝中也可以作為理想的掩模。根據(jù)氧化速率的要求，通過在純氧氣氛下加熱圓片至900?1200°C獲得二氧化硅。氧氣中加人水蒸氣可以加速氧化。與硅片表面接觸的氧原子擴(kuò)散穿過氧化層與里面的硅原子結(jié)合，二氧化硅就會在硅片上生長增厚。

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隨著氧化層的生長，印制電路板制造的元件，氧原子到達(dá)硅的時(shí)間會變長，所以氧化層的生長速率會變慢。在1200°c下和干氧中生長0. 2μm厚的氧化層需要大約6分鐘;然而如果把氧化層加厚兩倍到0. 4μm，則需要220分鐘或者說36倍的時(shí)間。

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